高台阶基底晶圆贴蜡办法是半导体制作中的一个关键过程，特别是在处理具有高阶台金属结构的晶圆时。以下是一种有用的高台阶基底晶圆贴蜡办法：
该办法运用胶厚和蜡厚将高台阶填平，并运用较轻的物理压力以及抽真空技能来确保晶圆与陶瓷盘之间的严密贴合。此办法不只有很大成效防止高台阶金属被压碎，还能确保晶圆片内厚度误差（TTV）值在可接受范围内。
运用匀胶机对晶圆进行二次匀胶。匀胶机设定转速为1500r/min，首要进行第一层匀胶，时刻为3分钟，匀胶完毕后对晶圆进行烘干。
工艺参数操控：在匀胶、涂蜡、抽真空等过程中，要严控各项工艺参数，以确保加工质量和安稳性。
设备保护：定时对匀胶机、丈量仪器、抽真空设备等设备做保护和保养，确保设备的精度和可靠性。
环境要求：在工艺流程中，要坚持工作环境的清洁和安稳，防止尘埃、振荡等要素对加工质量的影响。
高效性：经过匀胶、涂蜡、抽真空等过程的协同效果，完成了晶圆与陶瓷盘之间的严密贴合，提高了加工功率。
高质量：该办法有很大成效防止了高台阶金属被压碎的问题，并能确保晶圆片内厚度误差（TTV）值在可接受范围内，来提升了产品质量。
综上所述，这种高台阶基底晶圆贴蜡办法具有低本钱、高效性和高质量的优势，适用于半导体制作中需求处理高台阶金属结构的晶圆。
高通量晶圆测厚体系，全新选用的第三代可调谐扫频激光技能，传统上下双探头对射扫描方法，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片，一次性丈量一切平面度及厚度参数。
1,灵敏适用更杂乱的资料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆资料。
粗糙的晶圆外表，（点扫描的第三代扫频激光，比较靠光谱勘探计划，不易遭到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对丈量粗糙外表晶圆）
低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（经过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆外表丈量的信噪比）
绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可一起丈量多层结构，厚度可从μm级到数百μm 级不等。
1，可调谐扫频激光的“温漂”处理才能，体现在极点工作环境中抗干扰才能强，一改曩昔传统晶圆丈量关于“自动式减震渠道”的重度依靠，本钱显着下降。
